QJD1210010

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निर्माता भाग	QJD1210010
निर्माता	Powerex, Inc.
विवरण	MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC
श्रेणी	अलग अर्धचालक उत्पादनहरू
परिवार	ट्रान्जिस्टर - fets, mosfets - arrays
जीवन चक्र:	New from this manufacturer.
डेलिभरी:	DHL FedEx Ups TNT EMS
भुक्तानी	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
डाटा पाना	QJD1210010 PDF

उपलब्धता

इनस्टक	1,462,769
एकाइ मूल्य	$ 0.00000

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QJD1210010 निर्दिष्टीकरणहरू

टाइप गर्नुहोस्	विवरण
श्रृंखला:	-
प्याकेज:	Bulk
अंश स्थिति:	Active
fet प्रकार:	2 N-Channel (Dual)
fet सुविधा:	Silicon Carbide (SiC)
स्रोत भोल्टेजमा नाली (vdss):	1200V (1.2kV)
वर्तमान - निरन्तर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस:	100A (Tc)
rds मा (अधिकतम) @ id, vgs:	25mOhm @ 100A, 20V
vgs(th) (अधिकतम) @ id:	5V @ 10mA
गेट चार्ज (qg) (अधिकतम) @ vgs:	500nC @ 20V
इनपुट क्यापेसिटन्स (ciss) (अधिकतम) @ vds:	10200pF @ 800V
शक्ति - अधिकतम:	1080W
सञ्चालन तापमान:	-40°C ~ 175°C (TJ)
माउन्ट प्रकार:	Chassis Mount
प्याकेज / केस:	Module
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज:	Module

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