APTM100H80FT1G

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निर्माता भाग	APTM100H80FT1G
निर्माता	Microsemi
विवरण	MOSFET 4N-CH 1000V 11A SP1
श्रेणी	अलग अर्धचालक उत्पादनहरू
परिवार	ट्रान्जिस्टर - fets, mosfets - arrays
जीवन चक्र:	New from this manufacturer.
डेलिभरी:	DHL FedEx Ups TNT EMS
भुक्तानी	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
डाटा पाना	APTM100H80FT1G PDF

उपलब्धता

इनस्टक	8,776,550
एकाइ मूल्य	$ 0.00000

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APTM100H80FT1G निर्दिष्टीकरणहरू

टाइप गर्नुहोस्	विवरण
श्रृंखला:	-
प्याकेज:	Bulk
अंश स्थिति:	Obsolete
fet प्रकार:	4 N-Channel (H-Bridge)
fet सुविधा:	Standard
स्रोत भोल्टेजमा नाली (vdss):	1000V (1kV)
वर्तमान - निरन्तर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस:	11A
rds मा (अधिकतम) @ id, vgs:	960mOhm @ 9A, 10V
vgs(th) (अधिकतम) @ id:	5V @ 1mA
गेट चार्ज (qg) (अधिकतम) @ vgs:	150nC @ 10V
इनपुट क्यापेसिटन्स (ciss) (अधिकतम) @ vds:	3876pF @ 25V
शक्ति - अधिकतम:	208W
सञ्चालन तापमान:	-40°C ~ 150°C (TJ)
माउन्ट प्रकार:	Chassis Mount
प्याकेज / केस:	SP1
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज:	SP1

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