TH58BYG3S0HBAI6

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निर्माता भाग	TH58BYG3S0HBAI6
निर्माता	Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.)
विवरण	IC FLASH 8GBIT 67VFBGA
श्रेणी	एकीकृत सर्किट
परिवार	मेमोरी
जीवन चक्र:	New from this manufacturer.
डेलिभरी:	DHL FedEx Ups TNT EMS
भुक्तानी	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
डाटा पाना	TH58BYG3S0HBAI6 PDF

उपलब्धता

इनस्टक	263
एकाइ मूल्य	$ 10.72000

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TH58BYG3S0HBAI6 निर्दिष्टीकरणहरू

टाइप गर्नुहोस्	विवरण
श्रृंखला:	Benand™
प्याकेज:	Tray
अंश स्थिति:	Active
मेमोरी प्रकार:	Non-Volatile
मेमोरी ढाँचा:	FLASH
प्रविधि:	FLASH - NAND (SLC)
मेमोरी आकार:	8Gb (1G x 8)
मेमोरी इन्टरफेस:	-
घडी आवृत्ति:	-
चक्र समय लेख्नुहोस् - शब्द, पृष्ठ:	25ns
पहुँच समय:	-
भोल्टेज - आपूर्ति:	1.7V ~ 1.95V
सञ्चालन तापमान:	-40°C ~ 85°C (TA)
माउन्ट प्रकार:	Surface Mount
प्याकेज / केस:	67-VFBGA
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज:	67-VFBGA (6.5x8)

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