SIDR608DP-T1-RE3

छवि सन्दर्भको लागि हो, कृपया हामीलाई वास्तविक तस्वीर प्राप्त गर्न सम्पर्क गर्नुहोस्

निर्माता भाग	SIDR608DP-T1-RE3
निर्माता	Vishay / Siliconix
विवरण	MOSFET N-CH 45V 51A/208A PPAK
श्रेणी	अलग अर्धचालक उत्पादनहरू
परिवार	ट्रान्जिस्टर - fets, mosfets - एकल
जीवन चक्र:	New from this manufacturer.
डेलिभरी:	DHL FedEx Ups TNT EMS
भुक्तानी	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
डाटा पाना	SIDR608DP-T1-RE3 PDF

उपलब्धता

इनस्टक	5,970
एकाइ मूल्य	$ 2.54000

SIDR608DP-T1-RE3 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team rfq@www.zhschip.com

SIDR608DP-T1-RE3 निर्दिष्टीकरणहरू

टाइप गर्नुहोस्	विवरण
श्रृंखला:	TrenchFET® Gen IV
प्याकेज:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
अंश स्थिति:	Active
fet प्रकार:	N-Channel
प्रविधि:	MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेजमा नाली (vdss):	45 V
वर्तमान - निरन्तर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस:	51A (Ta), 208A (Tc)
ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम आरडीएस अन, न्यूनतम आरडीएस अन):	4.5V, 10V
rds मा (अधिकतम) @ id, vgs:	1.2mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (अधिकतम) @ id:	2.3V @ 250µA
गेट चार्ज (qg) (अधिकतम) @ vgs:	167 nC @ 10 V
vgs (अधिकतम):	+20V, -16V
इनपुट क्यापेसिटन्स (ciss) (अधिकतम) @ vds:	8900 pF @ 20 V
fet सुविधा:	-
शक्ति अपव्यय (अधिकतम):	6.25W (Ta), 104W (Tc)
सञ्चालन तापमान:	-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्ट प्रकार:	Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज:	PowerPAK® SO-8DC
प्याकेज / केस:	PowerPAK® SO-8

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.