FDB1D7N10CL7

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निर्माता भाग	FDB1D7N10CL7
निर्माता	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
विवरण	MOSFET N-CH 100V 268A D2PAK
श्रेणी	अलग अर्धचालक उत्पादनहरू
परिवार	ट्रान्जिस्टर - fets, mosfets - एकल
जीवन चक्र:	New from this manufacturer.
डेलिभरी:	DHL FedEx Ups TNT EMS
भुक्तानी	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
डाटा पाना	FDB1D7N10CL7 PDF

उपलब्धता

इनस्टक	623,747
एकाइ मूल्य	$ 5.09965

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FDB1D7N10CL7 निर्दिष्टीकरणहरू

टाइप गर्नुहोस्	विवरण
श्रृंखला:	PowerTrench®
प्याकेज:	Tape & Reel (TR)
अंश स्थिति:	Active
fet प्रकार:	N-Channel
प्रविधि:	MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेजमा नाली (vdss):	100 V
वर्तमान - निरन्तर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस:	268A (Tc)
ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम आरडीएस अन, न्यूनतम आरडीएस अन):	6V, 15V
rds मा (अधिकतम) @ id, vgs:	1.65mOhm @ 100A, 15V
vgs(th) (अधिकतम) @ id:	4V @ 700µA
गेट चार्ज (qg) (अधिकतम) @ vgs:	163 nC @ 10 V
vgs (अधिकतम):	±20V
इनपुट क्यापेसिटन्स (ciss) (अधिकतम) @ vds:	11600 pF @ 50 V
fet सुविधा:	-
शक्ति अपव्यय (अधिकतम):	250W (Tc)
सञ्चालन तापमान:	-55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्ट प्रकार:	Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज:	D²PAK (TO-263)
प्याकेज / केस:	TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

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