TPN2R805PL,L1Q

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निर्माता भाग	TPN2R805PL,L1Q
निर्माता	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
विवरण	MOSFET N-CH 45V 139A/80A 8TSON
श्रेणी	अलग अर्धचालक उत्पादनहरू
परिवार	ट्रान्जिस्टर - fets, mosfets - एकल
जीवन चक्र:	New from this manufacturer.
डेलिभरी:	DHL FedEx Ups TNT EMS
भुक्तानी	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
डाटा पाना	TPN2R805PL,L1Q PDF

उपलब्धता

इनस्टक	2,078,870
एकाइ मूल्य	$ 0.33750

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TPN2R805PL,L1Q निर्दिष्टीकरणहरू

टाइप गर्नुहोस्	विवरण
श्रृंखला:	U-MOSIX-H
प्याकेज:	Tape & Reel (TR)
अंश स्थिति:	Active
fet प्रकार:	N-Channel
प्रविधि:	MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेजमा नाली (vdss):	45 V
वर्तमान - निरन्तर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस:	139A (Ta), 80A (Tc)
ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम आरडीएस अन, न्यूनतम आरडीएस अन):	4.5V, 10V
rds मा (अधिकतम) @ id, vgs:	2.8mOhm @ 40A, 10V
vgs(th) (अधिकतम) @ id:	2.4V @ 300µA
गेट चार्ज (qg) (अधिकतम) @ vgs:	39 nC @ 10 V
vgs (अधिकतम):	±20V
इनपुट क्यापेसिटन्स (ciss) (अधिकतम) @ vds:	3.2 nF @ 22.5 V
fet सुविधा:	-
शक्ति अपव्यय (अधिकतम):	2.67W (Ta), 104W (Tc)
सञ्चालन तापमान:	175°C
माउन्ट प्रकार:	Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज:	8-TSON Advance (3.3x3.3)
प्याकेज / केस:	8-PowerVDFN

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