JAN1N5417US

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निर्माता भाग	JAN1N5417US
निर्माता	Roving Networks / Microchip Technology
विवरण	DIODE GEN PURP 200V 3A B-MELF
श्रेणी	अलग अर्धचालक उत्पादनहरू
परिवार	डायोड - रेक्टिफायर - एकल
जीवन चक्र:	New from this manufacturer.
डेलिभरी:	DHL FedEx Ups TNT EMS
भुक्तानी	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
डाटा पाना	JAN1N5417US PDF

उपलब्धता

इनस्टक	648,049
एकाइ मूल्य	$ 9.20400

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JAN1N5417US निर्दिष्टीकरणहरू

टाइप गर्नुहोस्	विवरण
श्रृंखला:	Military, MIL-PRF-19500/411
प्याकेज:	Bulk
अंश स्थिति:	Active
डायोड प्रकार:	Standard
भोल्टेज - dc उल्टो (vr) (अधिकतम):	200 V
वर्तमान - औसत सुधार (io):	3A
भोल्टेज - अगाडि (vf) (अधिकतम) @ यदि:	1.5 V @ 9 A
गति:	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
उल्टो रिकभरी समय (trr):	150 ns
वर्तमान - उल्टो रिसाव @ vr:	1 µA @ 200 V
capacitance @ vr, f:	-
माउन्ट प्रकार:	Surface Mount
प्याकेज / केस:	SQ-MELF, B
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज:	B, SQ-MELF
सञ्चालन तापमान - जंक्शन:	-65°C ~ 175°C

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