GPA030A135MN-FDR

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निर्माता भाग	GPA030A135MN-FDR
निर्माता	SemiQ
विवरण	IGBT 1350V 60A 329W TO3PN
श्रेणी	अलग अर्धचालक उत्पादनहरू
परिवार	ट्रान्जिस्टर - igbts - एकल
जीवन चक्र:	New from this manufacturer.
डेलिभरी:	DHL FedEx Ups TNT EMS
भुक्तानी	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
डाटा पाना	GPA030A135MN-FDR PDF

उपलब्धता

इनस्टक	771,939
एकाइ मूल्य	$ 0.00000

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GPA030A135MN-FDR निर्दिष्टीकरणहरू

टाइप गर्नुहोस्	विवरण
श्रृंखला:	-
प्याकेज:	Tube
अंश स्थिति:	Obsolete
igbt प्रकार:	Trench Field Stop
भोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम):	1350 V
वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम):	60 A
वर्तमान - कलेक्टर पल्स (आईसीएम):	90 A
vce(मा) (अधिकतम) @ vge, ic:	2.4V @ 15V, 30A
शक्ति - अधिकतम:	329 W
ऊर्जा स्विच गर्दै:	4.4mJ (on), 1.18mJ (off)
इनपुट प्रकार:	Standard
गेट चार्ज:	300 nC
td (अन/अफ) @ 25°c:	30ns/145ns
परीक्षण अवस्था:	600V, 30A, 5Ohm, 15V
उल्टो रिकभरी समय (trr):	450 ns
सञ्चालन तापमान:	-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्ट प्रकार:	Through Hole
प्याकेज / केस:	TO-3
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज:	TO-3PN

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