IPD180N10N3GBTMA1

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निर्माता भाग	IPD180N10N3GBTMA1
निर्माता	IR (Infineon Technologies)
विवरण	MOSFET N-CH 100V 43A TO252-3
श्रेणी	अलग अर्धचालक उत्पादनहरू
परिवार	ट्रान्जिस्टर - fets, mosfets - एकल
जीवन चक्र:	New from this manufacturer.
डेलिभरी:	DHL FedEx Ups TNT EMS
भुक्तानी	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
डाटा पाना	IPD180N10N3GBTMA1 PDF

उपलब्धता

इनस्टक	2,313,200
एकाइ मूल्य	$ 0.00000

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IPD180N10N3GBTMA1 निर्दिष्टीकरणहरू

टाइप गर्नुहोस्	विवरण
श्रृंखला:	OptiMOS™
प्याकेज:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
अंश स्थिति:	Discontinued at Digi-Key
fet प्रकार:	N-Channel
प्रविधि:	MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेजमा नाली (vdss):	100 V
वर्तमान - निरन्तर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस:	43A (Tc)
ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम आरडीएस अन, न्यूनतम आरडीएस अन):	6V, 10V
rds मा (अधिकतम) @ id, vgs:	18mOhm @ 33A, 10V
vgs(th) (अधिकतम) @ id:	3.5V @ 33µA
गेट चार्ज (qg) (अधिकतम) @ vgs:	25 nC @ 10 V
vgs (अधिकतम):	±20V
इनपुट क्यापेसिटन्स (ciss) (अधिकतम) @ vds:	1800 pF @ 50 V
fet सुविधा:	-
शक्ति अपव्यय (अधिकतम):	71W (Tc)
सञ्चालन तापमान:	-55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्ट प्रकार:	Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज:	PG-TO252-3
प्याकेज / केस:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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