IRF6712STR1PBF

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निर्माता भाग	IRF6712STR1PBF
निर्माता	IR (Infineon Technologies)
विवरण	MOSFET N-CH 25V 17A DIRECTFET
श्रेणी	अलग अर्धचालक उत्पादनहरू
परिवार	ट्रान्जिस्टर - fets, mosfets - एकल
जीवन चक्र:	New from this manufacturer.
डेलिभरी:	DHL FedEx Ups TNT EMS
भुक्तानी	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
डाटा पाना	IRF6712STR1PBF PDF

उपलब्धता

इनस्टक	1,541,577
एकाइ मूल्य	$ 0.00000

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IRF6712STR1PBF निर्दिष्टीकरणहरू

टाइप गर्नुहोस्	विवरण
श्रृंखला:	HEXFET®
प्याकेज:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
अंश स्थिति:	Obsolete
fet प्रकार:	N-Channel
प्रविधि:	MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेजमा नाली (vdss):	25 V
वर्तमान - निरन्तर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस:	17A (Ta), 68A (Tc)
ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम आरडीएस अन, न्यूनतम आरडीएस अन):	4.5V, 10V
rds मा (अधिकतम) @ id, vgs:	4.9mOhm @ 17A, 10V
vgs(th) (अधिकतम) @ id:	2.4V @ 50µA
गेट चार्ज (qg) (अधिकतम) @ vgs:	18 nC @ 4.5 V
vgs (अधिकतम):	±20V
इनपुट क्यापेसिटन्स (ciss) (अधिकतम) @ vds:	1570 pF @ 13 V
fet सुविधा:	-
शक्ति अपव्यय (अधिकतम):	2.2W (Ta), 36W (Tc)
सञ्चालन तापमान:	-40°C ~ 150°C (TJ)
माउन्ट प्रकार:	Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज:	DIRECTFET™ SQ
प्याकेज / केस:	DirectFET™ Isometric SQ

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