SIS414DN-T1-GE3

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निर्माता भाग	SIS414DN-T1-GE3
निर्माता	Vishay / Siliconix
विवरण	MOSFET N-CH 30V 20A PPAK1212-8
श्रेणी	अलग अर्धचालक उत्पादनहरू
परिवार	ट्रान्जिस्टर - fets, mosfets - एकल
जीवन चक्र:	New from this manufacturer.
डेलिभरी:	DHL FedEx Ups TNT EMS
भुक्तानी	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
डाटा पाना	SIS414DN-T1-GE3 PDF

उपलब्धता

इनस्टक	513,686
एकाइ मूल्य	$ 0.00000

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SIS414DN-T1-GE3 निर्दिष्टीकरणहरू

टाइप गर्नुहोस्	विवरण
श्रृंखला:	TrenchFET®
प्याकेज:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
अंश स्थिति:	Obsolete
fet प्रकार:	N-Channel
प्रविधि:	MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेजमा नाली (vdss):	30 V
वर्तमान - निरन्तर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस:	20A (Tc)
ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम आरडीएस अन, न्यूनतम आरडीएस अन):	2.5V, 4.5V
rds मा (अधिकतम) @ id, vgs:	16mOhm @ 10A, 4.5V
vgs(th) (अधिकतम) @ id:	1.5V @ 250µA
गेट चार्ज (qg) (अधिकतम) @ vgs:	33 nC @ 10 V
vgs (अधिकतम):	±12V
इनपुट क्यापेसिटन्स (ciss) (अधिकतम) @ vds:	795 pF @ 15 V
fet सुविधा:	-
शक्ति अपव्यय (अधिकतम):	3.4W (Ta), 31W (Tc)
सञ्चालन तापमान:	-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्ट प्रकार:	Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज:	PowerPAK® 1212-8
प्याकेज / केस:	PowerPAK® 1212-8

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