IRF5806

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निर्माता भाग	IRF5806
निर्माता	IR (Infineon Technologies)
विवरण	MOSFET P-CH 20V 4A MICRO6
श्रेणी	अलग अर्धचालक उत्पादनहरू
परिवार	ट्रान्जिस्टर - fets, mosfets - एकल
जीवन चक्र:	New from this manufacturer.
डेलिभरी:	DHL FedEx Ups TNT EMS
भुक्तानी	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
डाटा पाना	IRF5806 PDF

उपलब्धता

इनस्टक	4,619,900
एकाइ मूल्य	$ 0.00000

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IRF5806 निर्दिष्टीकरणहरू

टाइप गर्नुहोस्	विवरण
श्रृंखला:	HEXFET®
प्याकेज:	Tube
अंश स्थिति:	Obsolete
fet प्रकार:	P-Channel
प्रविधि:	MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेजमा नाली (vdss):	20 V
वर्तमान - निरन्तर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस:	4A (Ta)
ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम आरडीएस अन, न्यूनतम आरडीएस अन):	2.5V, 4.5V
rds मा (अधिकतम) @ id, vgs:	86mOhm @ 4A, 4.5V
vgs(th) (अधिकतम) @ id:	1.2V @ 250µA
गेट चार्ज (qg) (अधिकतम) @ vgs:	11.4 nC @ 4.5 V
vgs (अधिकतम):	±20V
इनपुट क्यापेसिटन्स (ciss) (अधिकतम) @ vds:	594 pF @ 15 V
fet सुविधा:	-
शक्ति अपव्यय (अधिकतम):	2W (Ta)
सञ्चालन तापमान:	-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्ट प्रकार:	Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज:	Micro6™(TSOP-6)
प्याकेज / केस:	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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