SI4910DY-T1-E3

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निर्माता भाग	SI4910DY-T1-E3
निर्माता	Vishay / Siliconix
विवरण	MOSFET 2N-CH 40V 7.6A 8-SOIC
श्रेणी	अलग अर्धचालक उत्पादनहरू
परिवार	ट्रान्जिस्टर - fets, mosfets - arrays
जीवन चक्र:	New from this manufacturer.
डेलिभरी:	DHL FedEx Ups TNT EMS
भुक्तानी	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
डाटा पाना	SI4910DY-T1-E3 PDF

उपलब्धता

इनस्टक	637,780
एकाइ मूल्य	$ 0.00000

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SI4910DY-T1-E3 निर्दिष्टीकरणहरू

टाइप गर्नुहोस्	विवरण
श्रृंखला:	TrenchFET®
प्याकेज:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
अंश स्थिति:	Obsolete
fet प्रकार:	2 N-Channel (Dual)
fet सुविधा:	Standard
स्रोत भोल्टेजमा नाली (vdss):	40V
वर्तमान - निरन्तर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस:	7.6A
rds मा (अधिकतम) @ id, vgs:	27mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (अधिकतम) @ id:	2V @ 250µA
गेट चार्ज (qg) (अधिकतम) @ vgs:	32nC @ 10V
इनपुट क्यापेसिटन्स (ciss) (अधिकतम) @ vds:	855pF @ 20V
शक्ति - अधिकतम:	3.1W
सञ्चालन तापमान:	-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्ट प्रकार:	Surface Mount
प्याकेज / केस:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज:	8-SO

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