TRS8E65C,S1Q

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निर्माता भाग	TRS8E65C,S1Q
निर्माता	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
विवरण	DIODE SCHOTTKY 650V 8A TO220-2L
श्रेणी	अलग अर्धचालक उत्पादनहरू
परिवार	डायोड - रेक्टिफायर - एकल
जीवन चक्र:	New from this manufacturer.
डेलिभरी:	DHL FedEx Ups TNT EMS
भुक्तानी	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
डाटा पाना	TRS8E65C,S1Q PDF

उपलब्धता

इनस्टक	488,879
एकाइ मूल्य	$ 0.00000

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TRS8E65C,S1Q निर्दिष्टीकरणहरू

टाइप गर्नुहोस्	विवरण
श्रृंखला:	-
प्याकेज:	Tube
अंश स्थिति:	Obsolete
डायोड प्रकार:	Silicon Carbide Schottky
भोल्टेज - dc उल्टो (vr) (अधिकतम):	650 V
वर्तमान - औसत सुधार (io):	8A (DC)
भोल्टेज - अगाडि (vf) (अधिकतम) @ यदि:	1.7 V @ 8 A
गति:	No Recovery Time > 500mA (Io)
उल्टो रिकभरी समय (trr):	0 ns
वर्तमान - उल्टो रिसाव @ vr:	90 µA @ 650 V
capacitance @ vr, f:	44pF @ 650V, 1MHz
माउन्ट प्रकार:	Through Hole
प्याकेज / केस:	TO-220-2
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज:	TO-220-2L
सञ्चालन तापमान - जंक्शन:	175°C (Max)

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