IPP80N06S2LH5AKSA2

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निर्माता भाग	IPP80N06S2LH5AKSA2
निर्माता	Rochester Electronics
विवरण	MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3-1
श्रेणी	अलग अर्धचालक उत्पादनहरू
परिवार	ट्रान्जिस्टर - fets, mosfets - एकल
जीवन चक्र:	New from this manufacturer.
डेलिभरी:	DHL FedEx Ups TNT EMS
भुक्तानी	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
डाटा पाना	IPP80N06S2LH5AKSA2 PDF

उपलब्धता

इनस्टक	38,000
एकाइ मूल्य	$ 1.57000

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IPP80N06S2LH5AKSA2 निर्दिष्टीकरणहरू

टाइप गर्नुहोस्	विवरण
श्रृंखला:	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
प्याकेज:	Tube
अंश स्थिति:	Active
fet प्रकार:	N-Channel
प्रविधि:	MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेजमा नाली (vdss):	55 V
वर्तमान - निरन्तर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस:	80A (Tc)
ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम आरडीएस अन, न्यूनतम आरडीएस अन):	-
rds मा (अधिकतम) @ id, vgs:	5mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (अधिकतम) @ id:	2V @ 250µA
गेट चार्ज (qg) (अधिकतम) @ vgs:	190 nC @ 10 V
vgs (अधिकतम):	±20V
इनपुट क्यापेसिटन्स (ciss) (अधिकतम) @ vds:	5000 pF @ 25 V
fet सुविधा:	-
शक्ति अपव्यय (अधिकतम):	300W (Tc)
सञ्चालन तापमान:	-55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्ट प्रकार:	Through Hole
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज:	PG-TO220-3-1
प्याकेज / केस:	TO-220-3

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