IPB180N03S4L01ATMA1

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निर्माता भाग	IPB180N03S4L01ATMA1
निर्माता	Rochester Electronics
विवरण	MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7-3
श्रेणी	अलग अर्धचालक उत्पादनहरू
परिवार	ट्रान्जिस्टर - fets, mosfets - एकल
जीवन चक्र:	New from this manufacturer.
डेलिभरी:	DHL FedEx Ups TNT EMS
भुक्तानी	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
डाटा पाना	IPB180N03S4L01ATMA1 PDF

उपलब्धता

इनस्टक	1,856
एकाइ मूल्य	$ 1.14000

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IPB180N03S4L01ATMA1 निर्दिष्टीकरणहरू

टाइप गर्नुहोस्	विवरण
श्रृंखला:	OptiMOS™
प्याकेज:	Bulk
अंश स्थिति:	Active
fet प्रकार:	N-Channel
प्रविधि:	MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेजमा नाली (vdss):	30 V
वर्तमान - निरन्तर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस:	180A (Tc)
ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम आरडीएस अन, न्यूनतम आरडीएस अन):	4.5V, 10V
rds मा (अधिकतम) @ id, vgs:	1.05mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (अधिकतम) @ id:	2.2V @ 140µA
गेट चार्ज (qg) (अधिकतम) @ vgs:	239 nC @ 10 V
vgs (अधिकतम):	±16V
इनपुट क्यापेसिटन्स (ciss) (अधिकतम) @ vds:	17.6 pF @ 25 V
fet सुविधा:	-
शक्ति अपव्यय (अधिकतम):	188W (Tc)
सञ्चालन तापमान:	-55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्ट प्रकार:	Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज:	PG-TO263-7-3
प्याकेज / केस:	TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

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