SCT2H12NYTB

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निर्माता भाग	SCT2H12NYTB
निर्माता	ROHM Semiconductor
विवरण	SICFET N-CH 1700V 4A TO268
श्रेणी	अलग अर्धचालक उत्पादनहरू
परिवार	ट्रान्जिस्टर - fets, mosfets - एकल
जीवन चक्र:	New from this manufacturer.
डेलिभरी:	DHL FedEx Ups TNT EMS
भुक्तानी	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
डाटा पाना	SCT2H12NYTB PDF

उपलब्धता

इनस्टक	647
एकाइ मूल्य	$ 5.80000

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SCT2H12NYTB निर्दिष्टीकरणहरू

टाइप गर्नुहोस्	विवरण
श्रृंखला:	-
प्याकेज:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
अंश स्थिति:	Active
fet प्रकार:	N-Channel
प्रविधि:	SiCFET (Silicon Carbide)
स्रोत भोल्टेजमा नाली (vdss):	1700 V
वर्तमान - निरन्तर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस:	4A (Tc)
ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम आरडीएस अन, न्यूनतम आरडीएस अन):	18V
rds मा (अधिकतम) @ id, vgs:	1.5Ohm @ 1.1A, 18V
vgs(th) (अधिकतम) @ id:	4V @ 410µA
गेट चार्ज (qg) (अधिकतम) @ vgs:	14 nC @ 18 V
vgs (अधिकतम):	+22V, -6V
इनपुट क्यापेसिटन्स (ciss) (अधिकतम) @ vds:	184 pF @ 800 V
fet सुविधा:	-
शक्ति अपव्यय (अधिकतम):	44W (Tc)
सञ्चालन तापमान:	175°C (TJ)
माउन्ट प्रकार:	Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज:	TO-268
प्याकेज / केस:	TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

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