TPH1R712MD,L1Q

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निर्माता भाग	TPH1R712MD,L1Q
निर्माता	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
विवरण	MOSFET P-CH 20V 60A 8SOP
श्रेणी	अलग अर्धचालक उत्पादनहरू
परिवार	ट्रान्जिस्टर - fets, mosfets - एकल
जीवन चक्र:	New from this manufacturer.
डेलिभरी:	DHL FedEx Ups TNT EMS
भुक्तानी	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
डाटा पाना	TPH1R712MD,L1Q PDF

उपलब्धता

इनस्टक	208,807
एकाइ मूल्य	$ 1.42000

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TPH1R712MD,L1Q निर्दिष्टीकरणहरू

टाइप गर्नुहोस्	विवरण
श्रृंखला:	U-MOSVI
प्याकेज:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
अंश स्थिति:	Active
fet प्रकार:	P-Channel
प्रविधि:	MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेजमा नाली (vdss):	20 V
वर्तमान - निरन्तर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस:	60A (Tc)
ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम आरडीएस अन, न्यूनतम आरडीएस अन):	2.5V, 4.5V
rds मा (अधिकतम) @ id, vgs:	1.7mOhm @ 30A, 4.5V
vgs(th) (अधिकतम) @ id:	1.2V @ 1mA
गेट चार्ज (qg) (अधिकतम) @ vgs:	182 nC @ 5 V
vgs (अधिकतम):	±12V
इनपुट क्यापेसिटन्स (ciss) (अधिकतम) @ vds:	10900 pF @ 10 V
fet सुविधा:	-
शक्ति अपव्यय (अधिकतम):	78W (Tc)
सञ्चालन तापमान:	150°C (TJ)
माउन्ट प्रकार:	Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज:	8-SOP Advance (5x5)
प्याकेज / केस:	8-PowerVDFN

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