TP65H300G4LSG

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निर्माता भाग	TP65H300G4LSG
निर्माता	Transphorm
विवरण	GANFET N-CH 650V 6.5A 3PQFN
श्रेणी	अलग अर्धचालक उत्पादनहरू
परिवार	ट्रान्जिस्टर - fets, mosfets - एकल
जीवन चक्र:	New from this manufacturer.
डेलिभरी:	DHL FedEx Ups TNT EMS
भुक्तानी	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
डाटा पाना	TP65H300G4LSG PDF

उपलब्धता

इनस्टक	240
एकाइ मूल्य	$ 4.02000

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TP65H300G4LSG निर्दिष्टीकरणहरू

टाइप गर्नुहोस्	विवरण
श्रृंखला:	-
प्याकेज:	Tray
अंश स्थिति:	Active
fet प्रकार:	N-Channel
प्रविधि:	GaNFET (Gallium Nitride)
स्रोत भोल्टेजमा नाली (vdss):	650 V
वर्तमान - निरन्तर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस:	6.5A (Tc)
ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम आरडीएस अन, न्यूनतम आरडीएस अन):	8V
rds मा (अधिकतम) @ id, vgs:	312mOhm @ 5A, 8V
vgs(th) (अधिकतम) @ id:	2.6V @ 500µA
गेट चार्ज (qg) (अधिकतम) @ vgs:	9.6 nC @ 8 V
vgs (अधिकतम):	±18V
इनपुट क्यापेसिटन्स (ciss) (अधिकतम) @ vds:	760 pF @ 400 V
fet सुविधा:	-
शक्ति अपव्यय (अधिकतम):	21W (Tc)
सञ्चालन तापमान:	-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्ट प्रकार:	Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज:	3-PQFN (8x8)
प्याकेज / केस:	3-PowerDFN

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