IGT60R070D1ATMA1

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निर्माता भाग	IGT60R070D1ATMA1
निर्माता	IR (Infineon Technologies)
विवरण	GANFET N-CH 600V 31A 8HSOF
श्रेणी	अलग अर्धचालक उत्पादनहरू
परिवार	ट्रान्जिस्टर - fets, mosfets - एकल
जीवन चक्र:	New from this manufacturer.
डेलिभरी:	DHL FedEx Ups TNT EMS
भुक्तानी	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
डाटा पाना	IGT60R070D1ATMA1 PDF

उपलब्धता

इनस्टक	3,726
एकाइ मूल्य	$ 25.68000

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IGT60R070D1ATMA1 निर्दिष्टीकरणहरू

टाइप गर्नुहोस्	विवरण
श्रृंखला:	CoolGaN™
प्याकेज:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
अंश स्थिति:	Active
fet प्रकार:	N-Channel
प्रविधि:	GaNFET (Gallium Nitride)
स्रोत भोल्टेजमा नाली (vdss):	600 V
वर्तमान - निरन्तर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस:	31A (Tc)
ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम आरडीएस अन, न्यूनतम आरडीएस अन):	-
rds मा (अधिकतम) @ id, vgs:	-
vgs(th) (अधिकतम) @ id:	1.6V @ 2.6mA
गेट चार्ज (qg) (अधिकतम) @ vgs:	-
vgs (अधिकतम):	-10V
इनपुट क्यापेसिटन्स (ciss) (अधिकतम) @ vds:	380 pF @ 400 V
fet सुविधा:	-
शक्ति अपव्यय (अधिकतम):	125W (Tc)
सञ्चालन तापमान:	-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्ट प्रकार:	Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज:	PG-HSOF-8-3
प्याकेज / केस:	8-PowerSFN

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