CSD23201W10

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निर्माता भाग	CSD23201W10
निर्माता	Rochester Electronics
विवरण	MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA
श्रेणी	अलग अर्धचालक उत्पादनहरू
परिवार	ट्रान्जिस्टर - fets, mosfets - एकल
जीवन चक्र:	New from this manufacturer.
डेलिभरी:	DHL FedEx Ups TNT EMS
भुक्तानी	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
डाटा पाना	CSD23201W10 PDF

उपलब्धता

इनस्टक	458,300
एकाइ मूल्य	$ 0.23000

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CSD23201W10 निर्दिष्टीकरणहरू

टाइप गर्नुहोस्	विवरण
श्रृंखला:	NexFET™
प्याकेज:	Bulk
अंश स्थिति:	Obsolete
fet प्रकार:	P-Channel
प्रविधि:	MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेजमा नाली (vdss):	12 V
वर्तमान - निरन्तर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस:	2.2A (Tc)
ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम आरडीएस अन, न्यूनतम आरडीएस अन):	1.5V, 4.5V
rds मा (अधिकतम) @ id, vgs:	82mOhm @ 500mA, 4.5V
vgs(th) (अधिकतम) @ id:	1V @ 250µA
गेट चार्ज (qg) (अधिकतम) @ vgs:	2.4 nC @ 4.5 V
vgs (अधिकतम):	-6V
इनपुट क्यापेसिटन्स (ciss) (अधिकतम) @ vds:	325 pF @ 6 V
fet सुविधा:	-
शक्ति अपव्यय (अधिकतम):	1W (Ta)
सञ्चालन तापमान:	-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्ट प्रकार:	Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज:	4-DSBGA (1x1)
प्याकेज / केस:	4-UFBGA, DSBGA

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