NTLTS3107PR2G

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निर्माता भाग	NTLTS3107PR2G
निर्माता	Rochester Electronics
विवरण	MOSFET P-CH 20V 5.9A 8DFN
श्रेणी	अलग अर्धचालक उत्पादनहरू
परिवार	ट्रान्जिस्टर - fets, mosfets - एकल
जीवन चक्र:	New from this manufacturer.
डेलिभरी:	DHL FedEx Ups TNT EMS
भुक्तानी	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
डाटा पाना	NTLTS3107PR2G PDF

उपलब्धता

इनस्टक	3,000
एकाइ मूल्य	$ 0.67000

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NTLTS3107PR2G निर्दिष्टीकरणहरू

टाइप गर्नुहोस्	विवरण
श्रृंखला:	-
प्याकेज:	Bulk
अंश स्थिति:	Obsolete
fet प्रकार:	P-Channel
प्रविधि:	MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेजमा नाली (vdss):	20 V
वर्तमान - निरन्तर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस:	5.9A (Ta)
ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम आरडीएस अन, न्यूनतम आरडीएस अन):	-
rds मा (अधिकतम) @ id, vgs:	16mOhm @ 8A, 4.5V
vgs(th) (अधिकतम) @ id:	1.2V @ 250µA
गेट चार्ज (qg) (अधिकतम) @ vgs:	70 nC @ 4.5 V
vgs (अधिकतम):	±8V
इनपुट क्यापेसिटन्स (ciss) (अधिकतम) @ vds:	6500 pF @ 16 V
fet सुविधा:	-
शक्ति अपव्यय (अधिकतम):	800mW (Ta)
सञ्चालन तापमान:	-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्ट प्रकार:	Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज:	8-DFN (3x3), (MICRO8 LEADLESS)
प्याकेज / केस:	8-VDFN Exposed Pad

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