SCTH90N65G2V-7

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निर्माता भाग	SCTH90N65G2V-7
निर्माता	STMicroelectronics
विवरण	SICFET N-CH 650V 90A H2PAK-7
श्रेणी	अलग अर्धचालक उत्पादनहरू
परिवार	ट्रान्जिस्टर - fets, mosfets - एकल
जीवन चक्र:	New from this manufacturer.
डेलिभरी:	DHL FedEx Ups TNT EMS
भुक्तानी	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
डाटा पाना	SCTH90N65G2V-7 PDF

उपलब्धता

इनस्टक	873
एकाइ मूल्य	$ 26.75000

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SCTH90N65G2V-7 निर्दिष्टीकरणहरू

टाइप गर्नुहोस्	विवरण
श्रृंखला:	-
प्याकेज:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
अंश स्थिति:	Active
fet प्रकार:	N-Channel
प्रविधि:	SiCFET (Silicon Carbide)
स्रोत भोल्टेजमा नाली (vdss):	650 V
वर्तमान - निरन्तर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस:	90A (Tc)
ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम आरडीएस अन, न्यूनतम आरडीएस अन):	18V
rds मा (अधिकतम) @ id, vgs:	26mOhm @ 50A, 18V
vgs(th) (अधिकतम) @ id:	5V @ 1mA
गेट चार्ज (qg) (अधिकतम) @ vgs:	157 nC @ 18 V
vgs (अधिकतम):	+22V, -10V
इनपुट क्यापेसिटन्स (ciss) (अधिकतम) @ vds:	3300 pF @ 400 V
fet सुविधा:	-
शक्ति अपव्यय (अधिकतम):	330W (Tc)
सञ्चालन तापमान:	-55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्ट प्रकार:	Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज:	H2PAK-7
प्याकेज / केस:	TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

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