IRFB3306GPBF

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निर्माता भाग	IRFB3306GPBF
निर्माता	IR (Infineon Technologies)
विवरण	MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
श्रेणी	अलग अर्धचालक उत्पादनहरू
परिवार	ट्रान्जिस्टर - fets, mosfets - एकल
जीवन चक्र:	New from this manufacturer.
डेलिभरी:	DHL FedEx Ups TNT EMS
भुक्तानी	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
डाटा पाना	IRFB3306GPBF PDF

उपलब्धता

इनस्टक	872
एकाइ मूल्य	$ 1.74000

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IRFB3306GPBF निर्दिष्टीकरणहरू

टाइप गर्नुहोस्	विवरण
श्रृंखला:	HEXFET®
प्याकेज:	Tube
अंश स्थिति:	Not For New Designs
fet प्रकार:	N-Channel
प्रविधि:	MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेजमा नाली (vdss):	60 V
वर्तमान - निरन्तर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस:	120A (Tc)
ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम आरडीएस अन, न्यूनतम आरडीएस अन):	10V
rds मा (अधिकतम) @ id, vgs:	4.2mOhm @ 75A, 10V
vgs(th) (अधिकतम) @ id:	4V @ 150µA
गेट चार्ज (qg) (अधिकतम) @ vgs:	120 nC @ 10 V
vgs (अधिकतम):	±20V
इनपुट क्यापेसिटन्स (ciss) (अधिकतम) @ vds:	4520 pF @ 50 V
fet सुविधा:	-
शक्ति अपव्यय (अधिकतम):	230W (Tc)
सञ्चालन तापमान:	-55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्ट प्रकार:	Through Hole
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज:	TO-220AB
प्याकेज / केस:	TO-220-3

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