RFD16N05LSM

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निर्माता भाग	RFD16N05LSM
निर्माता	Rochester Electronics
विवरण	N-CHANNEL POWER MOSFET
श्रेणी	अलग अर्धचालक उत्पादनहरू
परिवार	ट्रान्जिस्टर - fets, mosfets - एकल
जीवन चक्र:	New from this manufacturer.
डेलिभरी:	DHL FedEx Ups TNT EMS
भुक्तानी	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
डाटा पाना	RFD16N05LSM PDF

उपलब्धता

इनस्टक	4,176
एकाइ मूल्य	$ 0.55000

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RFD16N05LSM निर्दिष्टीकरणहरू

टाइप गर्नुहोस्	विवरण
श्रृंखला:	-
प्याकेज:	Tube
अंश स्थिति:	Obsolete
fet प्रकार:	N-Channel
प्रविधि:	MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेजमा नाली (vdss):	50 V
वर्तमान - निरन्तर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस:	16A (Tc)
ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम आरडीएस अन, न्यूनतम आरडीएस अन):	4V, 5V
rds मा (अधिकतम) @ id, vgs:	47mOhm @ 16A, 5V
vgs(th) (अधिकतम) @ id:	2V @ 250mA
गेट चार्ज (qg) (अधिकतम) @ vgs:	80 nC @ 10 V
vgs (अधिकतम):	±10V
इनपुट क्यापेसिटन्स (ciss) (अधिकतम) @ vds:	-
fet सुविधा:	-
शक्ति अपव्यय (अधिकतम):	60W (Tc)
सञ्चालन तापमान:	-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्ट प्रकार:	Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज:	TO-252AA
प्याकेज / केस:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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