XPW6R30ANB,L1XHQ

छवि सन्दर्भको लागि हो, कृपया हामीलाई वास्तविक तस्वीर प्राप्त गर्न सम्पर्क गर्नुहोस्

निर्माता भाग	XPW6R30ANB,L1XHQ
निर्माता	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
विवरण	MOSFET N-CH 100V 45A 8DSOP
श्रेणी	अलग अर्धचालक उत्पादनहरू
परिवार	ट्रान्जिस्टर - fets, mosfets - एकल
जीवन चक्र:	New from this manufacturer.
डेलिभरी:	DHL FedEx Ups TNT EMS
भुक्तानी	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union

उपलब्धता

इनस्टक	9,978
एकाइ मूल्य	$ 2.08000

XPW6R30ANB,L1XHQ Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team rfq@www.zhschip.com

XPW6R30ANB,L1XHQ निर्दिष्टीकरणहरू

टाइप गर्नुहोस्	विवरण
श्रृंखला:	U-MOSVIII-H
प्याकेज:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
अंश स्थिति:	Active
fet प्रकार:	N-Channel
प्रविधि:	MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेजमा नाली (vdss):	100 V
वर्तमान - निरन्तर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस:	45A (Ta)
ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम आरडीएस अन, न्यूनतम आरडीएस अन):	6V, 10V
rds मा (अधिकतम) @ id, vgs:	6.3mOhm @ 22.5A, 10V
vgs(th) (अधिकतम) @ id:	3.5V @ 500µA
गेट चार्ज (qg) (अधिकतम) @ vgs:	52 nC @ 10 V
vgs (अधिकतम):	±20V
इनपुट क्यापेसिटन्स (ciss) (अधिकतम) @ vds:	3240 pF @ 10 V
fet सुविधा:	-
शक्ति अपव्यय (अधिकतम):	960mW (Ta), 132W (Tc)
सञ्चालन तापमान:	175°C
माउन्ट प्रकार:	Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज:	8-DSOP Advance
प्याकेज / केस:	8-PowerVDFN

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.