SCT2120AFC

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निर्माता भाग	SCT2120AFC
निर्माता	ROHM Semiconductor
विवरण	SICFET N-CH 650V 29A TO220AB
श्रेणी	अलग अर्धचालक उत्पादनहरू
परिवार	ट्रान्जिस्टर - fets, mosfets - एकल
जीवन चक्र:	New from this manufacturer.
डेलिभरी:	DHL FedEx Ups TNT EMS
भुक्तानी	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
डाटा पाना	SCT2120AFC PDF

उपलब्धता

इनस्टक	1,689
एकाइ मूल्य	$ 14.28000

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SCT2120AFC निर्दिष्टीकरणहरू

टाइप गर्नुहोस्	विवरण
श्रृंखला:	-
प्याकेज:	Tube
अंश स्थिति:	Obsolete
fet प्रकार:	N-Channel
प्रविधि:	SiCFET (Silicon Carbide)
स्रोत भोल्टेजमा नाली (vdss):	650 V
वर्तमान - निरन्तर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस:	29A (Tc)
ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम आरडीएस अन, न्यूनतम आरडीएस अन):	18V
rds मा (अधिकतम) @ id, vgs:	156mOhm @ 10A, 18V
vgs(th) (अधिकतम) @ id:	4V @ 3.3mA
गेट चार्ज (qg) (अधिकतम) @ vgs:	61 nC @ 18 V
vgs (अधिकतम):	+22V, -6V
इनपुट क्यापेसिटन्स (ciss) (अधिकतम) @ vds:	1200 pF @ 500 V
fet सुविधा:	-
शक्ति अपव्यय (अधिकतम):	165W (Tc)
सञ्चालन तापमान:	175°C (TJ)
माउन्ट प्रकार:	Through Hole
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज:	TO-220AB
प्याकेज / केस:	TO-220-3

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