NTMSD6N303R2G

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निर्माता भाग	NTMSD6N303R2G
निर्माता	Rochester Electronics
विवरण	MOSFET N-CH 30V 6A 8SOIC
श्रेणी	अलग अर्धचालक उत्पादनहरू
परिवार	ट्रान्जिस्टर - fets, mosfets - एकल
जीवन चक्र:	New from this manufacturer.
डेलिभरी:	DHL FedEx Ups TNT EMS
भुक्तानी	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
डाटा पाना	NTMSD6N303R2G PDF

उपलब्धता

इनस्टक	130,000
एकाइ मूल्य	$ 0.43000

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NTMSD6N303R2G निर्दिष्टीकरणहरू

टाइप गर्नुहोस्	विवरण
श्रृंखला:	FETKY™
प्याकेज:	Bulk
अंश स्थिति:	Obsolete
fet प्रकार:	N-Channel
प्रविधि:	MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेजमा नाली (vdss):	30 V
वर्तमान - निरन्तर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस:	6A (Ta)
ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम आरडीएस अन, न्यूनतम आरडीएस अन):	4.5V, 10V
rds मा (अधिकतम) @ id, vgs:	32mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (अधिकतम) @ id:	2.5V @ 250µA
गेट चार्ज (qg) (अधिकतम) @ vgs:	30 nC @ 10 V
vgs (अधिकतम):	±20V
इनपुट क्यापेसिटन्स (ciss) (अधिकतम) @ vds:	950 pF @ 24 V
fet सुविधा:	Schottky Diode (Isolated)
शक्ति अपव्यय (अधिकतम):	2W (Ta)
सञ्चालन तापमान:	-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्ट प्रकार:	Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज:	8-SOIC
प्याकेज / केस:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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