RS1E350BNTB

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निर्माता भाग	RS1E350BNTB
निर्माता	ROHM Semiconductor
विवरण	MOSFET N-CH 30V 35A 8HSOP
श्रेणी	अलग अर्धचालक उत्पादनहरू
परिवार	ट्रान्जिस्टर - fets, mosfets - एकल
जीवन चक्र:	New from this manufacturer.
डेलिभरी:	DHL FedEx Ups TNT EMS
भुक्तानी	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
डाटा पाना	RS1E350BNTB PDF

उपलब्धता

इनस्टक	1,899
एकाइ मूल्य	$ 1.77000

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RS1E350BNTB निर्दिष्टीकरणहरू

टाइप गर्नुहोस्	विवरण
श्रृंखला:	-
प्याकेज:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
अंश स्थिति:	Active
fet प्रकार:	N-Channel
प्रविधि:	MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेजमा नाली (vdss):	30 V
वर्तमान - निरन्तर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस:	35A (Ta)
ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम आरडीएस अन, न्यूनतम आरडीएस अन):	4.5V, 10V
rds मा (अधिकतम) @ id, vgs:	1.7mOhm @ 35A, 10V
vgs(th) (अधिकतम) @ id:	2.5V @ 1mA
गेट चार्ज (qg) (अधिकतम) @ vgs:	185 nC @ 10 V
vgs (अधिकतम):	±20V
इनपुट क्यापेसिटन्स (ciss) (अधिकतम) @ vds:	7900 pF @ 15 V
fet सुविधा:	-
शक्ति अपव्यय (अधिकतम):	35W (Tc)
सञ्चालन तापमान:	150°C (TJ)
माउन्ट प्रकार:	Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज:	8-HSOP
प्याकेज / केस:	8-PowerTDFN

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