IMBF170R450M1XTMA1

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निर्माता भाग	IMBF170R450M1XTMA1
निर्माता	IR (Infineon Technologies)
विवरण	SICFET N-CH 1700V 9.8A TO263-7
श्रेणी	अलग अर्धचालक उत्पादनहरू
परिवार	ट्रान्जिस्टर - fets, mosfets - एकल
जीवन चक्र:	New from this manufacturer.
डेलिभरी:	DHL FedEx Ups TNT EMS
भुक्तानी	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
डाटा पाना	IMBF170R450M1XTMA1 PDF

उपलब्धता

इनस्टक	673
एकाइ मूल्य	$ 10.47000

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IMBF170R450M1XTMA1 निर्दिष्टीकरणहरू

टाइप गर्नुहोस्	विवरण
श्रृंखला:	CoolSiC™
प्याकेज:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
अंश स्थिति:	Active
fet प्रकार:	N-Channel
प्रविधि:	SiCFET (Silicon Carbide)
स्रोत भोल्टेजमा नाली (vdss):	1700 V
वर्तमान - निरन्तर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस:	9.8A (Tc)
ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम आरडीएस अन, न्यूनतम आरडीएस अन):	12V, 15V
rds मा (अधिकतम) @ id, vgs:	450mOhm @ 2A, 15V
vgs(th) (अधिकतम) @ id:	5.7V @ 2.5mA
गेट चार्ज (qg) (अधिकतम) @ vgs:	11 nC @ 12 V
vgs (अधिकतम):	+20V, -10V
इनपुट क्यापेसिटन्स (ciss) (अधिकतम) @ vds:	610 pF @ 1000 V
fet सुविधा:	-
शक्ति अपव्यय (अधिकतम):	107W (Tc)
सञ्चालन तापमान:	-55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्ट प्रकार:	Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज:	PG-TO263-7
प्याकेज / केस:	TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

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