IPI032N06N3GAKSA1

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निर्माता भाग	IPI032N06N3GAKSA1
निर्माता	Rochester Electronics
विवरण	MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3
श्रेणी	अलग अर्धचालक उत्पादनहरू
परिवार	ट्रान्जिस्टर - fets, mosfets - एकल
जीवन चक्र:	New from this manufacturer.
डेलिभरी:	DHL FedEx Ups TNT EMS
भुक्तानी	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
डाटा पाना	IPI032N06N3GAKSA1 PDF

उपलब्धता

इनस्टक	400
एकाइ मूल्य	$ 1.15000

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IPI032N06N3GAKSA1 निर्दिष्टीकरणहरू

टाइप गर्नुहोस्	विवरण
श्रृंखला:	OptiMOS™
प्याकेज:	Bulk
अंश स्थिति:	Active
fet प्रकार:	N-Channel
प्रविधि:	MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेजमा नाली (vdss):	60 V
वर्तमान - निरन्तर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस:	120A (Tc)
ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम आरडीएस अन, न्यूनतम आरडीएस अन):	10V
rds मा (अधिकतम) @ id, vgs:	3.2mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (अधिकतम) @ id:	4V @ 118µA
गेट चार्ज (qg) (अधिकतम) @ vgs:	165 nC @ 10 V
vgs (अधिकतम):	±20V
इनपुट क्यापेसिटन्स (ciss) (अधिकतम) @ vds:	13 pF @ 30 V
fet सुविधा:	-
शक्ति अपव्यय (अधिकतम):	188W (Tc)
सञ्चालन तापमान:	-55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्ट प्रकार:	Through Hole
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज:	PG-TO262-3
प्याकेज / केस:	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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