MBR20030CTR

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निर्माता भाग	MBR20030CTR
निर्माता	GeneSiC Semiconductor
विवरण	DIODE MODULE 30V 200A 2TOWER
श्रेणी	अलग अर्धचालक उत्पादनहरू
परिवार	diodes - rectifiers - arrays
जीवन चक्र:	New from this manufacturer.
डेलिभरी:	DHL FedEx Ups TNT EMS
भुक्तानी	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
डाटा पाना	MBR20030CTR PDF

उपलब्धता

इनस्टक	257,440
एकाइ मूल्य	$ 73.68640

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MBR20030CTR निर्दिष्टीकरणहरू

टाइप गर्नुहोस्	विवरण
श्रृंखला:	-
प्याकेज:	Bulk
अंश स्थिति:	Active
डायोड कन्फिगरेसन:	1 Pair Common Anode
डायोड प्रकार:	Schottky
भोल्टेज - dc उल्टो (vr) (अधिकतम):	30 V
वर्तमान - औसत सुधारित (io) (प्रति डायोड):	200A (DC)
भोल्टेज - अगाडि (vf) (अधिकतम) @ यदि:	650 mV @ 100 A
गति:	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
उल्टो रिकभरी समय (trr):	-
वर्तमान - उल्टो रिसाव @ vr:	5 mA @ 20 V
सञ्चालन तापमान - जंक्शन:	-55°C ~ 150°C
माउन्ट प्रकार:	Chassis Mount
प्याकेज / केस:	Twin Tower
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज:	Twin Tower

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