SI1902CDL-T1-GE3

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निर्माता भाग	SI1902CDL-T1-GE3
निर्माता	Vishay / Siliconix
विवरण	MOSFET 2N-CH 20V 1.1A SC-70-6
श्रेणी	अलग अर्धचालक उत्पादनहरू
परिवार	ट्रान्जिस्टर - fets, mosfets - arrays
जीवन चक्र:	New from this manufacturer.
डेलिभरी:	DHL FedEx Ups TNT EMS
भुक्तानी	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
डाटा पाना	SI1902CDL-T1-GE3 PDF

उपलब्धता

इनस्टक	4,806
एकाइ मूल्य	$ 0.47000

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SI1902CDL-T1-GE3 निर्दिष्टीकरणहरू

टाइप गर्नुहोस्	विवरण
श्रृंखला:	TrenchFET®
प्याकेज:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
अंश स्थिति:	Active
fet प्रकार:	2 N-Channel (Dual)
fet सुविधा:	Logic Level Gate
स्रोत भोल्टेजमा नाली (vdss):	20V
वर्तमान - निरन्तर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस:	1.1A
rds मा (अधिकतम) @ id, vgs:	235mOhm @ 1A, 4.5V
vgs(th) (अधिकतम) @ id:	1.5V @ 250µA
गेट चार्ज (qg) (अधिकतम) @ vgs:	3nC @ 10V
इनपुट क्यापेसिटन्स (ciss) (अधिकतम) @ vds:	62pF @ 10V
शक्ति - अधिकतम:	420mW
सञ्चालन तापमान:	-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्ट प्रकार:	Surface Mount
प्याकेज / केस:	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज:	SC-70-6 (SOT-363)

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