CSD85312Q3E

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निर्माता भाग	CSD85312Q3E
निर्माता	Texas Instruments
विवरण	MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON
श्रेणी	अलग अर्धचालक उत्पादनहरू
परिवार	ट्रान्जिस्टर - fets, mosfets - arrays
जीवन चक्र:	New from this manufacturer.
डेलिभरी:	DHL FedEx Ups TNT EMS
भुक्तानी	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union

उपलब्धता

इनस्टक	3,607
एकाइ मूल्य	$ 0.99000

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CSD85312Q3E निर्दिष्टीकरणहरू

टाइप गर्नुहोस्	विवरण
श्रृंखला:	NexFET™
प्याकेज:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
अंश स्थिति:	Active
fet प्रकार:	2 N-Channel (Dual) Common Source
fet सुविधा:	Logic Level Gate, 5V Drive
स्रोत भोल्टेजमा नाली (vdss):	20V
वर्तमान - निरन्तर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस:	39A
rds मा (अधिकतम) @ id, vgs:	12.4mOhm @ 10A, 8V
vgs(th) (अधिकतम) @ id:	1.4V @ 250µA
गेट चार्ज (qg) (अधिकतम) @ vgs:	15.2nC @ 4.5V
इनपुट क्यापेसिटन्स (ciss) (अधिकतम) @ vds:	2390pF @ 10V
शक्ति - अधिकतम:	2.5W
सञ्चालन तापमान:	-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्ट प्रकार:	Surface Mount
प्याकेज / केस:	8-PowerVDFN
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज:	8-VSON (3.3x3.3)

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