APTM120H29FG

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निर्माता भाग	APTM120H29FG
निर्माता	Roving Networks / Microchip Technology
विवरण	MOSFET 4N-CH 1200V 34A SP6
श्रेणी	अलग अर्धचालक उत्पादनहरू
परिवार	ट्रान्जिस्टर - fets, mosfets - arrays
जीवन चक्र:	New from this manufacturer.
डेलिभरी:	DHL FedEx Ups TNT EMS
भुक्तानी	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
डाटा पाना	APTM120H29FG PDF

उपलब्धता

इनस्टक	195,873
एकाइ मूल्य	$ 299.12000

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APTM120H29FG निर्दिष्टीकरणहरू

टाइप गर्नुहोस्	विवरण
श्रृंखला:	POWER MOS 7®
प्याकेज:	Bulk
अंश स्थिति:	Active
fet प्रकार:	4 N-Channel (H-Bridge)
fet सुविधा:	Standard
स्रोत भोल्टेजमा नाली (vdss):	1200V (1.2kV)
वर्तमान - निरन्तर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस:	34A
rds मा (अधिकतम) @ id, vgs:	348mOhm @ 17A, 10V
vgs(th) (अधिकतम) @ id:	5V @ 5mA
गेट चार्ज (qg) (अधिकतम) @ vgs:	374nC @ 10V
इनपुट क्यापेसिटन्स (ciss) (अधिकतम) @ vds:	10300pF @ 25V
शक्ति - अधिकतम:	780W
सञ्चालन तापमान:	-40°C ~ 150°C (TJ)
माउन्ट प्रकार:	Chassis Mount
प्याकेज / केस:	SP6
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज:	SP6

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