NTMFD4C85NT1G

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निर्माता भाग	NTMFD4C85NT1G
निर्माता	Rochester Electronics
विवरण	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
श्रेणी	अलग अर्धचालक उत्पादनहरू
परिवार	ट्रान्जिस्टर - fets, mosfets - arrays
जीवन चक्र:	New from this manufacturer.
डेलिभरी:	DHL FedEx Ups TNT EMS
भुक्तानी	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
डाटा पाना	NTMFD4C85NT1G PDF

उपलब्धता

इनस्टक	183,040
एकाइ मूल्य	$ 2.14000

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NTMFD4C85NT1G निर्दिष्टीकरणहरू

टाइप गर्नुहोस्	विवरण
श्रृंखला:	-
प्याकेज:	Bulk
अंश स्थिति:	Obsolete
fet प्रकार:	2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
fet सुविधा:	Standard
स्रोत भोल्टेजमा नाली (vdss):	30V
वर्तमान - निरन्तर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस:	15.4A, 29.7A
rds मा (अधिकतम) @ id, vgs:	3mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (अधिकतम) @ id:	2.1V @ 250µA
गेट चार्ज (qg) (अधिकतम) @ vgs:	32nC @ 10V
इनपुट क्यापेसिटन्स (ciss) (अधिकतम) @ vds:	1960pF @ 15V
शक्ति - अधिकतम:	1.13W
सञ्चालन तापमान:	-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्ट प्रकार:	Surface Mount
प्याकेज / केस:	8-PowerTDFN
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज:	8-DFN (5x6)

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