IPG20N06S4L26ATMA1

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निर्माता भाग	IPG20N06S4L26ATMA1
निर्माता	IR (Infineon Technologies)
विवरण	MOSFET 2N-CH 60V 20A TDSON-8
श्रेणी	अलग अर्धचालक उत्पादनहरू
परिवार	ट्रान्जिस्टर - fets, mosfets - arrays
जीवन चक्र:	New from this manufacturer.
डेलिभरी:	DHL FedEx Ups TNT EMS
भुक्तानी	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
डाटा पाना	IPG20N06S4L26ATMA1 PDF

उपलब्धता

इनस्टक	97,909
एकाइ मूल्य	$ 1.11000

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IPG20N06S4L26ATMA1 निर्दिष्टीकरणहरू

टाइप गर्नुहोस्	विवरण
श्रृंखला:	OptiMOS™
प्याकेज:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
अंश स्थिति:	Active
fet प्रकार:	2 N-Channel (Dual)
fet सुविधा:	Logic Level Gate
स्रोत भोल्टेजमा नाली (vdss):	60V
वर्तमान - निरन्तर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस:	20A
rds मा (अधिकतम) @ id, vgs:	26mOhm @ 17A, 10V
vgs(th) (अधिकतम) @ id:	2.2V @ 10µA
गेट चार्ज (qg) (अधिकतम) @ vgs:	20nC @ 10V
इनपुट क्यापेसिटन्स (ciss) (अधिकतम) @ vds:	1430pF @ 25V
शक्ति - अधिकतम:	33W
सञ्चालन तापमान:	-55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्ट प्रकार:	Surface Mount
प्याकेज / केस:	8-PowerVDFN
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज:	PG-TDSON-8-4

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