IRF8910PBF

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निर्माता भाग	IRF8910PBF
निर्माता	Rochester Electronics
विवरण	HEXFET POWER MOSFET
श्रेणी	अलग अर्धचालक उत्पादनहरू
परिवार	ट्रान्जिस्टर - fets, mosfets - arrays
जीवन चक्र:	New from this manufacturer.
डेलिभरी:	DHL FedEx Ups TNT EMS
भुक्तानी	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
डाटा पाना	IRF8910PBF PDF

उपलब्धता

इनस्टक	156,544
एकाइ मूल्य	$ 0.36000

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IRF8910PBF निर्दिष्टीकरणहरू

टाइप गर्नुहोस्	विवरण
श्रृंखला:	HEXFET®
प्याकेज:	Tube
अंश स्थिति:	Obsolete
fet प्रकार:	2 N-Channel (Dual)
fet सुविधा:	Logic Level Gate
स्रोत भोल्टेजमा नाली (vdss):	20V
वर्तमान - निरन्तर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस:	10A
rds मा (अधिकतम) @ id, vgs:	13.4mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (अधिकतम) @ id:	2.55V @ 250µA
गेट चार्ज (qg) (अधिकतम) @ vgs:	11nC @ 4.5V
इनपुट क्यापेसिटन्स (ciss) (अधिकतम) @ vds:	960pF @ 10V
शक्ति - अधिकतम:	2W
सञ्चालन तापमान:	-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्ट प्रकार:	Surface Mount
प्याकेज / केस:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज:	8-SO

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