FQE10N20LCTU

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निर्माता भाग	FQE10N20LCTU
निर्माता	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
विवरण	MOSFET N-CH 200V 4A TO126-3
श्रेणी	अलग अर्धचालक उत्पादनहरू
परिवार	ट्रान्जिस्टर - fets, mosfets - एकल
जीवन चक्र:	New from this manufacturer.
डेलिभरी:	DHL FedEx Ups TNT EMS
भुक्तानी	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
डाटा पाना	FQE10N20LCTU PDF

उपलब्धता

इनस्टक	2,259,835
एकाइ मूल्य	$ 0.00000

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FQE10N20LCTU निर्दिष्टीकरणहरू

टाइप गर्नुहोस्	विवरण
श्रृंखला:	QFET®
प्याकेज:	Tube
अंश स्थिति:	Obsolete
fet प्रकार:	N-Channel
प्रविधि:	MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेजमा नाली (vdss):	200 V
वर्तमान - निरन्तर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस:	4A (Tc)
ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम आरडीएस अन, न्यूनतम आरडीएस अन):	5V, 10V
rds मा (अधिकतम) @ id, vgs:	360mOhm @ 2A, 10V
vgs(th) (अधिकतम) @ id:	2V @ 250µA
गेट चार्ज (qg) (अधिकतम) @ vgs:	19 nC @ 5 V
vgs (अधिकतम):	±20V
इनपुट क्यापेसिटन्स (ciss) (अधिकतम) @ vds:	490 pF @ 25 V
fet सुविधा:	-
शक्ति अपव्यय (अधिकतम):	12.8W (Tc)
सञ्चालन तापमान:	-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्ट प्रकार:	Through Hole
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज:	TO-126-3
प्याकेज / केस:	TO-225AA, TO-126-3

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