SCTL35N65G2V

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निर्माता भाग	SCTL35N65G2V
निर्माता	STMicroelectronics
विवरण	TRANS SJT N-CH 650V PWRFLAT HV
श्रेणी	अलग अर्धचालक उत्पादनहरू
परिवार	ट्रान्जिस्टर - fets, mosfets - एकल
जीवन चक्र:	New from this manufacturer.
डेलिभरी:	DHL FedEx Ups TNT EMS
भुक्तानी	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
डाटा पाना	SCTL35N65G2V PDF

उपलब्धता

इनस्टक	88
एकाइ मूल्य	$ 16.17000

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SCTL35N65G2V निर्दिष्टीकरणहरू

टाइप गर्नुहोस्	विवरण
श्रृंखला:	-
प्याकेज:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
अंश स्थिति:	Active
fet प्रकार:	N-Channel
प्रविधि:	SiCFET (Silicon Carbide)
स्रोत भोल्टेजमा नाली (vdss):	650 V
वर्तमान - निरन्तर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस:	40A (Tc)
ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम आरडीएस अन, न्यूनतम आरडीएस अन):	-
rds मा (अधिकतम) @ id, vgs:	67mOhm @ 20A, 20V
vgs(th) (अधिकतम) @ id:	5V @ 1mA
गेट चार्ज (qg) (अधिकतम) @ vgs:	73 nC @ 20 V
vgs (अधिकतम):	+22V, -10V
इनपुट क्यापेसिटन्स (ciss) (अधिकतम) @ vds:	1370 pF @ 400 V
fet सुविधा:	-
शक्ति अपव्यय (अधिकतम):	417W (Tc)
सञ्चालन तापमान:	-55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्ट प्रकार:	Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज:	PowerFlat™ (8x8) HV
प्याकेज / केस:	8-PowerVDFN

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