SISF02DN-T1-GE3

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निर्माता भाग	SISF02DN-T1-GE3
निर्माता	Vishay / Siliconix
विवरण	MOSFET DUAL N-CH 25V 1212-8
श्रेणी	अलग अर्धचालक उत्पादनहरू
परिवार	ट्रान्जिस्टर - fets, mosfets - arrays
जीवन चक्र:	New from this manufacturer.
डेलिभरी:	DHL FedEx Ups TNT EMS
भुक्तानी	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
डाटा पाना	SISF02DN-T1-GE3 PDF

उपलब्धता

इनस्टक	45
एकाइ मूल्य	$ 1.63000

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SISF02DN-T1-GE3 निर्दिष्टीकरणहरू

टाइप गर्नुहोस्	विवरण
श्रृंखला:	TrenchFET® Gen IV
प्याकेज:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
अंश स्थिति:	Active
fet प्रकार:	2 N-Channel (Dual) Common Drain
fet सुविधा:	Standard
स्रोत भोल्टेजमा नाली (vdss):	25V
वर्तमान - निरन्तर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस:	30.5A (Ta), 60A (Tc)
rds मा (अधिकतम) @ id, vgs:	3.5mOhm @ 7A, 10V
vgs(th) (अधिकतम) @ id:	2.3V @ 250µA
गेट चार्ज (qg) (अधिकतम) @ vgs:	56nC @ 10V
इनपुट क्यापेसिटन्स (ciss) (अधिकतम) @ vds:	2650pF @ 10V
शक्ति - अधिकतम:	5.2W (Ta), 69.4W (Tc)
सञ्चालन तापमान:	-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्ट प्रकार:	Surface Mount
प्याकेज / केस:	PowerPAK® 1212-8SCD
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज:	PowerPAK® 1212-8SCD

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