EPC2106ENGRT

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निर्माता भाग	EPC2106ENGRT
निर्माता	EPC
विवरण	GAN TRANS 2N-CH 100V BUMPED DIE
श्रेणी	अलग अर्धचालक उत्पादनहरू
परिवार	ट्रान्जिस्टर - fets, mosfets - arrays
जीवन चक्र:	New from this manufacturer.
डेलिभरी:	DHL FedEx Ups TNT EMS
भुक्तानी	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
डाटा पाना	EPC2106ENGRT PDF

उपलब्धता

इनस्टक	744,019
एकाइ मूल्य	$ 0.00000

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EPC2106ENGRT निर्दिष्टीकरणहरू

टाइप गर्नुहोस्	विवरण
श्रृंखला:	eGaN®
प्याकेज:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
अंश स्थिति:	Discontinued at Digi-Key
fet प्रकार:	2 N-Channel (Half Bridge)
fet सुविधा:	GaNFET (Gallium Nitride)
स्रोत भोल्टेजमा नाली (vdss):	100V
वर्तमान - निरन्तर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस:	1.7A
rds मा (अधिकतम) @ id, vgs:	70mOhm @ 2A, 5V
vgs(th) (अधिकतम) @ id:	2.5V @ 600µA
गेट चार्ज (qg) (अधिकतम) @ vgs:	0.73nC @ 5V
इनपुट क्यापेसिटन्स (ciss) (अधिकतम) @ vds:	75pF @ 50V
शक्ति - अधिकतम:	-
सञ्चालन तापमान:	-40°C ~ 150°C (TJ)
माउन्ट प्रकार:	Surface Mount
प्याकेज / केस:	Die
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज:	Die

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