G3R350MT12J

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निर्माता भाग	G3R350MT12J
निर्माता	GeneSiC Semiconductor
विवरण	SIC MOSFET N-CH 11A TO263-7
श्रेणी	अलग अर्धचालक उत्पादनहरू
परिवार	ट्रान्जिस्टर - fets, mosfets - एकल
जीवन चक्र:	New from this manufacturer.
डेलिभरी:	DHL FedEx Ups TNT EMS
भुक्तानी	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
डाटा पाना	G3R350MT12J PDF

उपलब्धता

इनस्टक	664
एकाइ मूल्य	$ 5.90000

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G3R350MT12J निर्दिष्टीकरणहरू

टाइप गर्नुहोस्	विवरण
श्रृंखला:	G3R™
प्याकेज:	Tube
अंश स्थिति:	Active
fet प्रकार:	N-Channel
प्रविधि:	SiCFET (Silicon Carbide)
स्रोत भोल्टेजमा नाली (vdss):	1200 V
वर्तमान - निरन्तर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस:	11A (Tc)
ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम आरडीएस अन, न्यूनतम आरडीएस अन):	15V
rds मा (अधिकतम) @ id, vgs:	420mOhm @ 4A, 15V
vgs(th) (अधिकतम) @ id:	2.69V @ 2mA
गेट चार्ज (qg) (अधिकतम) @ vgs:	12 nC @ 15 V
vgs (अधिकतम):	±15V
इनपुट क्यापेसिटन्स (ciss) (अधिकतम) @ vds:	334 pF @ 800 V
fet सुविधा:	-
शक्ति अपव्यय (अधिकतम):	75W (Tc)
सञ्चालन तापमान:	-55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्ट प्रकार:	Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज:	TO-263-7
प्याकेज / केस:	TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

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