EPC2010C

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निर्माता भाग	EPC2010C
निर्माता	EPC
विवरण	GANFET N-CH 200V 22A DIE OUTLINE
श्रेणी	अलग अर्धचालक उत्पादनहरू
परिवार	ट्रान्जिस्टर - fets, mosfets - एकल
जीवन चक्र:	New from this manufacturer.
डेलिभरी:	DHL FedEx Ups TNT EMS
भुक्तानी	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
डाटा पाना	EPC2010C PDF

उपलब्धता

इनस्टक	11,234
एकाइ मूल्य	$ 6.56000

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EPC2010C निर्दिष्टीकरणहरू

टाइप गर्नुहोस्	विवरण
श्रृंखला:	eGaN®
प्याकेज:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
अंश स्थिति:	Active
fet प्रकार:	N-Channel
प्रविधि:	GaNFET (Gallium Nitride)
स्रोत भोल्टेजमा नाली (vdss):	200 V
वर्तमान - निरन्तर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस:	22A (Ta)
ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम आरडीएस अन, न्यूनतम आरडीएस अन):	5V
rds मा (अधिकतम) @ id, vgs:	25mOhm @ 12A, 5V
vgs(th) (अधिकतम) @ id:	2.5V @ 3mA
गेट चार्ज (qg) (अधिकतम) @ vgs:	5.3 nC @ 5 V
vgs (अधिकतम):	+6V, -4V
इनपुट क्यापेसिटन्स (ciss) (अधिकतम) @ vds:	540 pF @ 100 V
fet सुविधा:	-
शक्ति अपव्यय (अधिकतम):	-
सञ्चालन तापमान:	-40°C ~ 150°C (TJ)
माउन्ट प्रकार:	Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज:	Die Outline (7-Solder Bar)
प्याकेज / केस:	Die

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