FQU1N60CTU

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निर्माता भाग	FQU1N60CTU
निर्माता	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
विवरण	MOSFET N-CH 600V 1A IPAK
श्रेणी	अलग अर्धचालक उत्पादनहरू
परिवार	ट्रान्जिस्टर - fets, mosfets - एकल
जीवन चक्र:	New from this manufacturer.
डेलिभरी:	DHL FedEx Ups TNT EMS
भुक्तानी	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
डाटा पाना	FQU1N60CTU PDF

उपलब्धता

इनस्टक	425,015,120
एकाइ मूल्य	$ 0.72000

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FQU1N60CTU निर्दिष्टीकरणहरू

टाइप गर्नुहोस्	विवरण
श्रृंखला:	QFET®
प्याकेज:	Tube
अंश स्थिति:	Active
fet प्रकार:	N-Channel
प्रविधि:	MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेजमा नाली (vdss):	600 V
वर्तमान - निरन्तर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस:	1A (Tc)
ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम आरडीएस अन, न्यूनतम आरडीएस अन):	10V
rds मा (अधिकतम) @ id, vgs:	11.5Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (अधिकतम) @ id:	4V @ 250µA
गेट चार्ज (qg) (अधिकतम) @ vgs:	6.2 nC @ 10 V
vgs (अधिकतम):	±30V
इनपुट क्यापेसिटन्स (ciss) (अधिकतम) @ vds:	170 pF @ 25 V
fet सुविधा:	-
शक्ति अपव्यय (अधिकतम):	2.5W (Ta), 28W (Tc)
सञ्चालन तापमान:	-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्ट प्रकार:	Through Hole
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज:	I-PAK
प्याकेज / केस:	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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