FDFMA2P853T

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निर्माता भाग	FDFMA2P853T
निर्माता	Rochester Electronics
विवरण	MOSFET P-CH 20V 3A MICROFET
श्रेणी	अलग अर्धचालक उत्पादनहरू
परिवार	ट्रान्जिस्टर - fets, mosfets - एकल
जीवन चक्र:	New from this manufacturer.
डेलिभरी:	DHL FedEx Ups TNT EMS
भुक्तानी	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
डाटा पाना	FDFMA2P853T PDF

उपलब्धता

इनस्टक	47,860
एकाइ मूल्य	$ 0.25000

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FDFMA2P853T निर्दिष्टीकरणहरू

टाइप गर्नुहोस्	विवरण
श्रृंखला:	PowerTrench®
प्याकेज:	Bulk
अंश स्थिति:	Obsolete
fet प्रकार:	P-Channel
प्रविधि:	MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेजमा नाली (vdss):	20 V
वर्तमान - निरन्तर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस:	3A (Ta)
ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम आरडीएस अन, न्यूनतम आरडीएस अन):	1.8V, 4.5V
rds मा (अधिकतम) @ id, vgs:	120mOhm @ 3A, 4.5V
vgs(th) (अधिकतम) @ id:	1.3V @ 250µA
गेट चार्ज (qg) (अधिकतम) @ vgs:	6 nC @ 4.5 V
vgs (अधिकतम):	±8V
इनपुट क्यापेसिटन्स (ciss) (अधिकतम) @ vds:	435 pF @ 10 V
fet सुविधा:	Schottky Diode (Isolated)
शक्ति अपव्यय (अधिकतम):	1.4W (Ta)
सञ्चालन तापमान:	-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्ट प्रकार:	Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज:	MicroFET 2x2 Thin
प्याकेज / केस:	6-UDFN Exposed Pad

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