SIHF7N60E-GE3

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निर्माता भाग	SIHF7N60E-GE3
निर्माता	Vishay / Siliconix
विवरण	MOSFET N-CHANNEL 600V 7A TO220
श्रेणी	अलग अर्धचालक उत्पादनहरू
परिवार	ट्रान्जिस्टर - fets, mosfets - एकल
जीवन चक्र:	New from this manufacturer.
डेलिभरी:	DHL FedEx Ups TNT EMS
भुक्तानी	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
डाटा पाना	SIHF7N60E-GE3 PDF

उपलब्धता

इनस्टक	970
एकाइ मूल्य	$ 2.24000

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SIHF7N60E-GE3 निर्दिष्टीकरणहरू

टाइप गर्नुहोस्	विवरण
श्रृंखला:	E
प्याकेज:	Cut Tape (CT)
अंश स्थिति:	Active
fet प्रकार:	N-Channel
प्रविधि:	MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेजमा नाली (vdss):	600 V
वर्तमान - निरन्तर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस:	7A (Tc)
ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम आरडीएस अन, न्यूनतम आरडीएस अन):	10V
rds मा (अधिकतम) @ id, vgs:	600mOhm @ 3.5A, 10V
vgs(th) (अधिकतम) @ id:	4V @ 250µA
गेट चार्ज (qg) (अधिकतम) @ vgs:	40 nC @ 10 V
vgs (अधिकतम):	±30V
इनपुट क्यापेसिटन्स (ciss) (अधिकतम) @ vds:	680 pF @ 100 V
fet सुविधा:	-
शक्ति अपव्यय (अधिकतम):	31W (Tc)
सञ्चालन तापमान:	-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्ट प्रकार:	Through Hole
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज:	TO-220 Full Pack
प्याकेज / केस:	TO-220-3 Full Pack

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