TW070J120B,S1Q

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निर्माता भाग	TW070J120B,S1Q
निर्माता	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
विवरण	SICFET N-CH 1200V 36A TO3P
श्रेणी	अलग अर्धचालक उत्पादनहरू
परिवार	ट्रान्जिस्टर - fets, mosfets - एकल
जीवन चक्र:	New from this manufacturer.
डेलिभरी:	DHL FedEx Ups TNT EMS
भुक्तानी	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union

उपलब्धता

इनस्टक	273
एकाइ मूल्य	$ 33.97000

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TW070J120B,S1Q निर्दिष्टीकरणहरू

टाइप गर्नुहोस्	विवरण
श्रृंखला:	*
प्याकेज:	Tube
अंश स्थिति:	Active
fet प्रकार:	N-Channel
प्रविधि:	SiCFET (Silicon Carbide)
स्रोत भोल्टेजमा नाली (vdss):	1200 V
वर्तमान - निरन्तर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस:	36A (Tc)
ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम आरडीएस अन, न्यूनतम आरडीएस अन):	20V
rds मा (अधिकतम) @ id, vgs:	90mOhm @ 18A, 20V
vgs(th) (अधिकतम) @ id:	5.8V @ 20mA
गेट चार्ज (qg) (अधिकतम) @ vgs:	67 nC @ 20 V
vgs (अधिकतम):	±25V, -10V
इनपुट क्यापेसिटन्स (ciss) (अधिकतम) @ vds:	1680 pF @ 800 V
fet सुविधा:	Standard
शक्ति अपव्यय (अधिकतम):	272W (Tc)
सञ्चालन तापमान:	-55°C ~ 175°C
माउन्ट प्रकार:	Through Hole
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज:	TO-3P(N)
प्याकेज / केस:	TO-3P-3, SC-65-3

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