SCT3080ALGC11

छवि सन्दर्भको लागि हो, कृपया हामीलाई वास्तविक तस्वीर प्राप्त गर्न सम्पर्क गर्नुहोस्

निर्माता भाग	SCT3080ALGC11
निर्माता	ROHM Semiconductor
विवरण	SICFET N-CH 650V 30A TO247N
श्रेणी	अलग अर्धचालक उत्पादनहरू
परिवार	ट्रान्जिस्टर - fets, mosfets - एकल
जीवन चक्र:	New from this manufacturer.
डेलिभरी:	DHL FedEx Ups TNT EMS
भुक्तानी	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
डाटा पाना	SCT3080ALGC11 PDF

उपलब्धता

इनस्टक	1,705
एकाइ मूल्य	$ 10.86000

SCT3080ALGC11 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team rfq@www.zhschip.com

SCT3080ALGC11 निर्दिष्टीकरणहरू

टाइप गर्नुहोस्	विवरण
श्रृंखला:	-
प्याकेज:	Tube
अंश स्थिति:	Active
fet प्रकार:	N-Channel
प्रविधि:	SiCFET (Silicon Carbide)
स्रोत भोल्टेजमा नाली (vdss):	650 V
वर्तमान - निरन्तर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस:	30A (Tc)
ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम आरडीएस अन, न्यूनतम आरडीएस अन):	18V
rds मा (अधिकतम) @ id, vgs:	104mOhm @ 10A, 18V
vgs(th) (अधिकतम) @ id:	5.6V @ 5mA
गेट चार्ज (qg) (अधिकतम) @ vgs:	48 nC @ 18 V
vgs (अधिकतम):	+22V, -4V
इनपुट क्यापेसिटन्स (ciss) (अधिकतम) @ vds:	571 pF @ 500 V
fet सुविधा:	-
शक्ति अपव्यय (अधिकतम):	134W (Tc)
सञ्चालन तापमान:	175°C (TJ)
माउन्ट प्रकार:	Through Hole
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज:	TO-247N
प्याकेज / केस:	TO-247-3

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.