FCU850N80Z

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निर्माता भाग	FCU850N80Z
निर्माता	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
विवरण	MOSFET N-CH 800V 6A IPAK
श्रेणी	अलग अर्धचालक उत्पादनहरू
परिवार	ट्रान्जिस्टर - fets, mosfets - एकल
जीवन चक्र:	New from this manufacturer.
डेलिभरी:	DHL FedEx Ups TNT EMS
भुक्तानी	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
डाटा पाना	FCU850N80Z PDF

उपलब्धता

इनस्टक	1,785
एकाइ मूल्य	$ 1.66000

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FCU850N80Z निर्दिष्टीकरणहरू

टाइप गर्नुहोस्	विवरण
श्रृंखला:	SuperFET® II
प्याकेज:	Tube
अंश स्थिति:	Active
fet प्रकार:	N-Channel
प्रविधि:	MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेजमा नाली (vdss):	800 V
वर्तमान - निरन्तर नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस:	6A (Tc)
ड्राइभ भोल्टेज (अधिकतम आरडीएस अन, न्यूनतम आरडीएस अन):	10V
rds मा (अधिकतम) @ id, vgs:	850mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (अधिकतम) @ id:	4.5V @ 600µA
गेट चार्ज (qg) (अधिकतम) @ vgs:	29 nC @ 10 V
vgs (अधिकतम):	±20V
इनपुट क्यापेसिटन्स (ciss) (अधिकतम) @ vds:	1315 pF @ 100 V
fet सुविधा:	-
शक्ति अपव्यय (अधिकतम):	75W (Tc)
सञ्चालन तापमान:	-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्ट प्रकार:	Through Hole
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज:	I-PAK
प्याकेज / केस:	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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